Desafiantes questoes das propriedades eletronicas de sistemas nanoscopicos anelares sao abordadas em calculos e experimentos, onde procedimentos, que vao desde o crescimento e sintese por MBE (molecular beam epitaxy) a caracterizacao estrutural e optica, se interligam. O presente texto sistematiza o estudo das propriedades eletronicas e opticas de sistemas semicondutores quase-zero-dimensionais com confinamento anelar, atraves da utilizacao de metodos de calculo de estrutura eletronica utilizando o modelo k.p, o que permite elucidar efeitos de tensao na modulacao dos perfis de potencial e da estrutura eletronica, de campos magneticos aplicados, nos estados de spin, alem de efeitos relativos a composicao e confinamento."