R sum Ce travail a consist caract riser des transistors bipolaires h t rojonction par des mesures de bruit basse fr quence (BF). Cette tude a port sur deux types de composants: des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avanc es. Les mesures de bruit basse fr quence sont effectu es en fonction de la polarisation sur des transistors pr sentant diff rents param tres technologiques (surface d' metteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu mod liser le bruit en 1/f associ au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les param tres SPICE utilis s dans les mod les de simulation lectrique des circuits. Un facteur de m rite reliant les performances fr quentielles et les performances en bruit BF a t propos . Une tude de l'influence du stress lectrique sur des transistors Si/SiGe a t effectu e pour localiser les d fauts et les sources de bruit associ es.