Les travaux d velopp s dans cette th se concernent l' tude, la caract risation et la mod lisation du comportement des diodes lors d' v nements transitoires rapides de type ESD. Dans un premier temps, un nouveau banc de mesure capable de fournir rapidement des r sultats sur le comportement des structures de protections ESD lors d'un v nement transitoire tr s rapide a t d velopp le VF-TCS - Very Fast Transient Characterization System. Ce syst me permet d' tudier le comportement transitoire, dans des gammes de temps propres au CDM, des structures de protection que sont la diode, le GGNMOS, la protection centrale et le thyristor. Dans un deuxi me temps, un nouveau mod le compact de diode capable de retranscrire avec pr cision son comportement lors d'un v nement transitoire tr s rapide a t d velopp . Les concepteurs ont d sormais des r sultats de simulations fiables mettant en exergue les faiblesses potentielles de leurs strat gies de protection, notamment en ce qui concerne les surtensions ventuelles pouvant constituer un danger pour le circuit prot ger.