Le d veloppement de cellules photovolta ques organiques constitue un grand enjeu de la fili re lectronique organique. Ces cellules photovolta ques organiques sont prometteuses pour la production d' nergie bas co t. Elles peuvent tre fabriqu es sur substrat souple, ce qui leur permettra de s'int grer facilement dans les appareils nomades tel que les t l phones portables, les ordinateurs portables... Cependant, l'heure actuelle les performances des cellules photovolta ques organiques sont limit es par la barri re de potentiel l'interface lectrode/semi-conducteur et le drainage m diocre des charges vers les lectrodes. L'optimisation de couches minces de NiO d pos es par pulv risation cathodique r active DCMS et HiPIMS permet d'utiliser comme couche tampon l'interface lectrode/semi-conducteur organique dans une cellule photovolta que afin d'en augmenter le rendement et la dur e de vie, ainsi que de contribuer au processus de d veloppement des cellules photovolta ques organique.