Ce travail consiste l'asservissement et la mise en marche d'un r acteur d' pitaxie par jets chimiques au Laboratoire d' pitaxie Avanc e de l'Universit de Sherbrooke. Le r acteur sert la croissance dans l'ultravide de mat riaux semi-conducteurs tels que l'ars niure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du mat riel informatique de National Instruments sont utilis s pour asservir entre autres l'injection des gaz et la temp rature d'op ration. Des am liorations apport es au r acteur sont d crites, notamment les syst mes d'injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de m me nature r v lent un mat riau de bonne qualit . La rugosit et le comportement en dopage p et n sont rapport s. De m me, les propri t s de GaInP sur GaAs, premier mat riau ternaire cr au laboratoire, sont rapport es. Finalement, la mise en marche du r acteur d' pitaxie par jets chimiques permet maintenant cinq tudiants gradu s de faire progresser des projets reli s directement la croissance pitaxiale au Laboratoire d' pitaxie Avanc e de l'Universit de Sherbrooke.