Ce travail porte sur l' tude des m canismes de luminescence de nanocristaux de silicium (nc-Si) de taille contr l e. Les mat riaux tudi s sont des couches minces de SiO2 contenant des nc-Si confin s. La structure des films est caract ris e par spectroscopie d'absorption infrarouge, diffraction de rayons X et microscopie lectronique transmission. La distribution en taille des nc-Si est mesur e, montrant que la taille est contr l e avec une faible dispersion. Les m canismes de luminescence sont tudi s par spectroscopie de photoluminescence continue et r solue en temps de 4 K 300 K. Corr l s l' tude de structure, les r sultats de photoluminescence montrent que la qualit de la matrice et la taille des nc-Si contr lent les propri t s de luminescence des nc-Si. Les m canismes de recombinaison des porteurs sont tudi s. Enfin, le transport lectrique dans les couches est caract ris . L' lectroluminescence est observ e et montre le r le jou par les nc-Si sur la luminescence.