L'objectif de ce livre est d' tudier le syst me Mn/Si en couche minces pour des applications thermo lectriques. Nous avons alors pr sent des d finitions sur la thermo lectricit puis sur les siliciures, en suite nous avons pr sent les techniques utilis es pour mieux comprendre les r sultats. Ces derniers sont pr sent s en deux parties. Dans la 1 re nous avons suivi la formation des phases en partant d'un film de Mn d pos (par vaporation et par pulv risation cathodique) sur du Si. Nous avons ainsi d tect la premi re phase qui se forme par RPS basse temp rature par DRX in-situ. Dans la 2i me partie nous avons montr les r sultats pour des temp ratures lev es du point de vu physicochimique et thermo lectrique (r sistance de surface, pouvoir thermo lectrique, facteur de puissance) et des r sultats tr s satisfaisants ont t obtenus, et la surface obtenue ces temp ratures promet un bon facteur de m rite. Plusieurs traitements et caract risations (AFM, MOHR, AES, FIB, MEB) sont utilis s. Une forte texturation du siliciure obtenu 890 C est mise en vidence par la m thode des offsets et de la figure de p le.