Le but de ce travail est d' tudier par simulation les caract ristiques de la cellule photovolta que h t rojonction base de CIGS et d'extraire les performances optimale pour la structure CdS/Cu(In, Ga)Se2. L'introduction du gallium la place de l'indium dans le compos CuInSe2 permet d'obtenir le CIGS et d'am liorer l'adaptation du gap la conversion photovolta que. D'o notre int r t tudier les cellules solaires base de Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) polycristallin et en couches minces, le CIGS qui pourra constituer l'un des mat riaux de base des cellules solaires les plus performantes. L'avantage de ce mat riau est qu'il permet d'ajuster la valeur du gap et des param tres cristallographiques dans le but d'une part de se rapprocher de la valeur optimale du gap pour la conversion photovolta que et d'autre part, d'assurer un meilleur accord de maille entre les deux mat riaux dans une h t rojonction.