R cemment, il y a un int r t consid rable pour les semi-conducteurs II-VI et leurs alliages, d leur application sous diff rentes formes savoir: comme cellules photovolta ques, comme cristaux lectro-optiques et opto lectroniques comme des diodes luminescentes. Cela a motiv plusieurs th oriciens entamer des l' tude sur ces compos es, en ciblant leurs propri t s physiques fondamentales. Une large gamme des ces propri t s a t r vis e par le biais d'un calcul ab initio tr s pouss en tenant compte du couplage p-d. De ce fait, notre travail consiste tudier et r viser au m me temps les propri t s physiques des alliages ternaires base du zinc (ZnSxSe1-x, ZnSxTe1-x, et ZnSexTe1-x) en utilisant les diff rentes approximations quantiques bas es sur la densit locale (LDA) et le gradient g n ralis (GGA). Ainsi les r sultats obtenus, concernant les propri t s structurales, les structures de bande, les nergies de gap, les densit s d' tats et les propri t s optiques sont bien d termin es et am lior es. Diff rents facteurs de courbure relatifs la concentration chimique x sont propos s.