Les h t ro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au d saccord de maille entre les deux mat riaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins vident malgr le d saccord de maille; une transition plastique appara t aux d pends de la transition lastique 3D. Cependant, par un proc d de croissance, qui consiste recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est d au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une nergie de surface plus importante et donc un co t en nergie de surface des facettes d' lots 3D plus petit. Ceci peut tre d crit par des calculs de type ab-initio qui consiste calculer les nergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd.