Cet ouvrage est une tude sur la d position de couche mince a-Si: H labor e partir d'un m lange (SiH4 + H2) par les proc d s CVD assist s par plasma. Pour la simulation num rique, nous avons utilis la m thode de Monte Carlo. Le mod le cin tique collisionnel choisi a permis d' tudier les ph nom nes physico-chimiques et les propri t s collisionnelles dans le volume du r acteur et la surface du substrat. Pour calculer les probabilit s de la r activit des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept: la probabilit de r activit sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilit calcul e, permet de calculer analytiquement les probabilit s de collage, de recombinaison et de r activit la surface. A nos connaissances, c'est le premier mod le analytique qui calcul ces probabilit s. Pour des temp ratures du gaz variant de 373 K 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calcul e est 0,30 0,08. Cette valeur est la m me que celle mesur e dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons pr sent aussi un traitement de l'aspect fluide en r solvant l' quation de diffusion.