Les performances obtenues en multicouches ces dernires annes ont montr l'intrt des films minces qui prsentent des proprits thermolectriques nettement plus importantes que celles obtenues dans les matriaux massifs. Nous avons choisi de dvelopper des couches minces thermolectriques de type Mg2Si1-xSnx connus par leurs bonnes performances  l'tat massif  des hautes tempratures, cependant peux tudis en couches minces. Nous montrerons qu'il est possible  partir de calculs de structure lectronique portant sur le dopage de Mg2Si et des donnes bibliographiques d'envisager l'laboration de couches minces de Mg2Sn dop p et n. Nous aborderons les rsultats exprimentaux obtenus de l'tude des dpts labors par la technique de pulvrisation cathodique PAPVD. Le but recherch tant la ralisation des couches minces de proprits thermolectriques plus performants.