Los materiales de banda intermedia tienen el potencial de incrementar la eficiencia de los dispositivos fotovoltaicos en la 3 Generacion de Celulas Solares mediante la absorcion de fotones de energia menor a la del bandgap. Una de las opciones para fabricar este tipo de semiconductores es la introduccion de impurezas con niveles profundos en concentraciones por encima del limite de Mott. Para ello, la tecnica de implantacion ionica es una herramienta fundamental, ya que permite introducir practicamente cualquier elemento en la concentracion requerida. La tecnica de recocido con laser pulsado permite reparar la red tras la implantacion y obtener un material con una concentracion de impurezas por encima del limite de solubilidad solida. En la primera parte de este trabajo se analizan las propiedades del Si implantado con Ti en altas dosis, se modelan las propiedades de transporte electrico y se concluye que el material resultante tiene unas caracteristicas adecuadas para fabricar celulas solares de banda intermedia. En la segunda parte se estudian las propiedades del GaP implantado con Ti en altas dosis, y se analizan las propiedades opticas y electricas del GaNxAs1-x."