Die Strukturanalyse von Halbleitermaterialien und -bauelementen mit extrem hoher raumlicher Auflosung gewinnt in dem Masse an Bedeutung, wie das epitaktische Kristallwachstum und die Halbleiter-Prozesstechnologien verbessert werden. In dieser Arbeit wird die zweidimensionale Charakterisierung steiler Dotierungsprofile mit Hilfe der Querschnitts-Raster-Tunnel-Mikroskopie (Cross-Sectional Scanning-Tunneling-Microscoy) analysiert. Zu diesem Zweck wird durch Spalten von Silizium-Proben (in situ oder ex situ) ein Querschnitt der Halbleiterstruktur erzeugt und diese Querschnittsflache im Ultrahoch-Vakuum untersucht. Voraussetzung fur den erfolgreichen Einsatz dieser Technik sind atomar glatte Spaltflachen. Daher ist die Entwicklung einer Praparationstechnik zur Erzeugung solcher Spaltflachen wesentlicher Bestandteil der Arbeit. Es erfolgt eine Bewertung der Methode im Hinblick auf die genannte Zielstellung (Vergleich mit der Elektronen-Holographie sowie der Raster-Kapazitats-Mikroskopie), und die Grenzen werden aufgezeigt.