Les syst mes constitu s d'interfaces m tal/silicium ou m tal/compos s de silicium sont tr s utilis s dans de nombreux secteurs technologiques. Les propri t s de ces syst mes d pendent fortement des interactions entre les mat riaux dans la zone de l'interface. Nous pr sentons les r sultats de l'analyse par EXES et SIMS des interfaces Mo/Si, Mo/SiO2, Mo/Si3N4, NiTi/Si, NiTi/SiO2 et NiTi/Si3N4. Les compos s interfaciaux d termin s par EXES sont localis s au travers de l'interface par SIMS. Les liens entre la r activit de ces interfaces et leur adh rence sont montr s pour certains de ces syst mes. La n cessit de l'emploi de techniques non destructives pour l'analyse physicochimique des interfaces est montr e au travers d'une comparaison de l'analyse EXES avec les analyses par XPS assist e par d capage ionique et par METHR-EELS. Nous d terminons les conditions de pr paration permettant de minimiser la r activit interfaciale de nos syst mes.