Pour rduire la taille des dispositifs et les temps de commutation en microlectronique, les lignes d'interconnexions doivent tre isoles par du SiOCH poreux. Cependant, la ralisation de tranches troites dans le SiOCH poreux ncessite de revoir les diffrents procds par plasmas (gravure, traitements post-gravure) et les schmas d'intgration, puisque ce matriau est facilement dgrad lorsqu'il est expos  un plasma. Cet ouvrage prsente une analyse des interactions plasmas/matriaux pour l'intgration des SiOCH poreux dans des tranches trs troites (