L'objectif de ce travail est la conception et la r alisation de transistors effet de champ (TEC) sur substrat InP pour l'amplification de puissance en bande W. Le but est d' tudier les potentialit s en puissance de diff rents TEC dans la fili re InP 94 GHz. La mont e en fr quence requiert la diminution des dimensions du composant, ce qui est assur ment d favorable une bonne tenue en tension. Notre d fi tait de tenter d' laborer des transistors capables de fonctionner cette fr quence et poss dant une tension de claquage lev e. Une structure canal InAsP d livrant une fr quence de coupure de 140 GHz, une fr quence maximum d'oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm nous a permis d'atteindre l' tat de l'art mondial en puissance 94 GHz des HEMTs sur substrat InP.