Le fonctionnement des dispositifs lectroniques repose sur la densit de porteurs de charge libre disponible dans les semi-conducteurs; dans la plupart des dispositifs semi-conducteurs, cette densit est contr l e par l''ajout d''atomes dopant. Lorsque la taille des composantes diminue, la pr sence d''interfaces et de mat riaux adjacents aux semi-conducteurs aura une influence importante qui d terminera compl tement les propri t s lectroniques du dispositif. Afin d''am liorer leurs performances et leurs domaines d''application, de nouvelles architectures de transistor effet de champ (FinFET, nanofils transistors effet de champ) ont t propos es pour remplacer les dispositifs planaires utilis s aujourd''hui. Le bon fonctionnement de ces dispositifs d pend de notre capacit mieux contr ler l''emplacement et le nombre d''atomes d''impuret s dans les semi-conducteurs lors du processus de fabrication. Nous montrons ici, que la densit de porteur de charge libre dans les nanofils de semi-conducteurs d pend de leur taille, que leur propri t lectronique d pend compl tement de leur environnement di lectrique.