La course la miniaturisation des transistors MOS implique de nouvelles technologies d'am lioration des performances. L'ing nierie de contrainte m canique est aujourd'hui devenue une tape incontournable. Les objectifs de ce travail sont de mod liser les dispositifs des prochains noeuds technologiques et de quantifier l'impact de la contrainte m canique. La mobilit est le facteur exploit pour quantifier les performances et l'un des param tres cl s des simulateurs commerciaux. Ici, le concept de mobilit effective et de mobilit de magn tor sistance dans les MOS courts est analys et le r le pr pond rant des effets non stationnaires est identifi et quantifi par des mod les avanc s. Gr ce au simulateur Monte Carlo MONACO, l'influence de la contrainte sur la structure de bandes et ses r percussions sur le transport sont tudi es. En bande de valence, la mobilit reste repr sentative des performances. L'impact de la contrainte sur la mobilit des trous est tudi e par le biais d'exp riences de flexion m canique. Gr ce des calculs de mobilit Kubo-Greenwood, les tendances sont expliqu es par les forts couplages existants entre les effets de contrainte et de confinement des trous.