Ce travail de th se s'inscrit dans le contexte de miniaturisation des transistors MOS afin de mener la technologie CMOS ces dimensions ultimes. Avec les techniques actuelles de fabrication et pour des longueurs de grille de transistor inf rieures 30nm, les variations moyennes de la longueur de grille, appel es rugosit de bord, entra nent des fluctuations lectriques dans le transistor inacceptables pour le bon fonctionnement des futures g n rations de dispositifs. Il convient donc de contr ler ce param tre afin de le r duire. Pour r ussir ce d fi technologique, il est essentiel de le mesurer avec pr cision afin, par la suite, de comprendre ses origines et son volution apr s chaque tape technologique de fabrication. Dans ce travail de th se, nous nous sommes int ress s la mesure la rugosit de bord, l'aide d'un nouvel quipement de m trologie: le microscope force atomique en trois dimensions. Nous avons valu les capacit s de cet outil et d termin un protocole de mesure de la rugosit de bord, qui nous a permis ensuite d' tudier ses origines et d' tudier son volution lors des diff rentes tapes technologiques de fabrication d'une grille de transistors MOS.