La d termination mod le des param tres fondamentaux de la diode Schottk; savoir la hauteur de la barri re, le facteur d'id alit , et la r sistance s rie joue un r le important dans la conception et la fabrication des dispositifs semi-conducteurs telles que les photopiles. Notre travail consiste extraire par une des m thodes volutionnaires ces param tres mod lisant les donn es exp rimentales en utilisant les algorithmes g n tiques (AG) qui connaissent actuellement un essor consid rable dans le domaine de r solution des probl mes complexes d'optimisation, gr ce leur universalit , fiabilit et robustesse. Nous nous sommes particuli rement concentr s sur le d veloppement d'un mod le analytique optimis de la caract ristiques I-V en fonction de la temp rature en utilisant la technique volutionnaire AG. Le bon accord entre les r sultats exp rimentaux et les r sultats obtenus par notre approche a montr l'applicabilit des AGs mettre en vidence certains param tres physiques critiques des cellules photovolta ques pour une large gamme de temp ratures.