Les travaux pr sent s participent au d veloppement de composants opto lectroniques dans la fili re silicium s'appuyant sur les proc d s micro lectroniques. Ils pr sentent l' tude d'un modulateur de lumi re la longueur d'onde de 1,3 microns, bas sur une structure de multipuits SiGe/Si dopage modul sur substrat silicium sur isolant. La structure est plac e dans la r gion intrins que d'une jonction pin afin de contr ler la densit de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de r fraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L' criture d'un outil de simulation exploit en plans d'exp riences a permis de d terminer les influences respectives des param tres de la structure sur l'efficacit du dispositif. Les tapes technologiques ont t valid es sur des composants de test. Les mesures capacit -tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en coh rence avec la simulation num rique. La modulation optique a t mise en vidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension.