Ce travail porte sur l'optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cin tique. Les limites et les faiblesses de la mod lisation continue ont t mis en vidence d'o la n cessit de la simulation l' chelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances. Diff rents m canismes ont t introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette tude dans un syst me un grand nombre d'atomes.La validation de notre simulation s'est effectu e sur la base des donn es exp rimentales obtenues l'aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montr que l'ajustement des param tres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la temp rature d'oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les r sultats obtenus: composition chimique des oxydes l'interface SiO2/Si, structure cristalline de l'oxyde natif sur le silicium, la rugosit , la distribution des d fauts en surface et les contraintes l'interface SiO2/Si.