Ce travail de thèse est constitué de deux grandes parties. Dans la première partie, nous avons étudié la redistribution du B dans le Si(001), à l''ambiante et après recuit thermique, à l''aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette étude, le Si a été fortement dopé en B. La concentration en B dans le Si peut alors dépasser la limite de solubilité. On est donc dans le cas d''un système sursaturé. Dans ce cas, nous avons observé qu''à la formation de défauts (BIC''s, etc...) s''ajoute la germination d''amas riches en B ou même la précipitation d''une nouvelle phase après recuit thermique. Dans la deuxième partie, nous avons étudié la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilisé lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de réduire la résistance de contact. A part l''accumulation du B à l''interface NiSi/Si et à la surface de NiSi, nous avons observé, la précipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit à 450 C. En revanche, pour le Pt nous n''observons plus un phénomène de précipitation. Il a plutôt tendance de ségréger aux interfaces à 290 C (phénomène de "chasse-neige "), tandis qu''au delà de 350 C, le Pt s''accumule plutot dans la phase NiSi.