Ces travaux de recherche se rapportent  l'tude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une tude des caractristiques des matriaux grand gap et plus particulirement du GaN est ralise afin de mettre en exergue l'adquation de leurs proprits pour des applications de puissance hyperfrquence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des rsultats de caractrisations et modlisations lectriques de composants passifs et actifs sont prsents. Les composants passifs ddis aux conceptions de circuits MMIC sont dcrits et diffrentes mthodes d'optimisation que ce soit au niveau lectrique ou lectromagntique sont explicites. Les modles non linaires de transistors impliqus dans nos conceptions sont de mme dtaills. Le fruit de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribus de puissance large bande  base de cellules cascode de HEMTs GaN, l'un tant reports en flip-chip sur un substrat d'AlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet d'atteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz  2dB de compression. Ces rsultats rvlent les fortes potentialits attendues des composants HEMTs GaN.