La recherche dans le domaine du photovolta que a comme but d'am liorer le rendement des cellules solaires en tudiant les propri t s physiques des semi-conducteurs, parmi ces derniers les compos s ternaires en phase chalcopyrite comme CuGaX₂ (X=S, Se) qui ont attir beaucoup d'attention cause de leurs propri t s physiques int ressantes et les diverses applications dans les cellules solaires l' lectronique et l'optique. Notre travail consiste, de ce fait l' tude des propri t s structurales et lectroniques des semi-conducteurs chalcopyrites CuGaS₂ et CuGaSe₂. Les calculs ont t effectu s par la m thode FP-LAPW qui se base sur la DFT. Nous avons utilis la GGA pour le terme du potentiel d' change et de corr lation. Nous avons optimis la valeur du param tre interne par relaxation des positions des atomes en utilisant les valeurs exp rimentales du param tre du r seau. Les valeurs du param tre de maille d' quilibre sont en accord avec les r sultats exp rimentaux disponibles. Les r sultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant la GGA montrent une am lioration par rapport ceux trouv s dans d'autres travaux th oriques et sont plus proches aux donn es exp rimentales.