Dans ce travail, des mesures en r gime statique et en bruit ont t effectu es sur des transistors FinFETs r alis s sur substrat SOI, issus de la technologie 32 nm, ayant deux diff rents isolants de grille. L'un est l'oxyde d'hafnium et le second est le silicate d'hafnium nitrur . La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte m canique locales et globales. Les r sultats de mesures en statique ont montr l'am lioration consid rable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards. Les r sultats de mesures de bruit ont permis d' valuer la qualit de l'isolant de ces dispositifs, le silicate d'hafnium nitrur semble avoir une meilleure qualit . L' tude du bruit a permis aussi d'apporter des informations sur le transport ainsi que sur les m canismes physiques qui g n rent le bruit en 1/f dans ces dispositifs. Les mesures de bruit en fonction de la temp rature (100 K - 300 K) ont permis d'identifier des d fauts, souvent li s la technologie de fabrication, dans le film de silicium par la m thode de spectroscopie de bruit.