Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 r żnymi rodzajami tlenk w. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomocą AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po naświetlaniu elektronami MeV. Redystrybucję atom w tlenu i krzemu oraz generację nanokrysztal w Si podczas napromieniania elektron w MeV obserwowano odpowiednio za pomocą technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono r wnież badania wlaściwości optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe naświetlanych elektronami MeV folii SiOx.