Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwi?kszenie stosunku pr?du wl?czenia do pr?du wyl?czenia. Proponowane urz?dzenie skutecznie l?czy ró?ne mechanizmy obni?ania subthreshold swing (SS). Dzi?ki zastosowaniu spacerów i zl?cza Schottky'ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urz?dzenia, takie jak g?sto?c elektryczna, potencjal i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazuj?, ?e chocia? przekladka o wysokim wspólczynniku ? poprawia wydajno?c urz?dzenia, tak? jak ION, S/S, to wydajno?c urz?dzenia ulegla poprawie i zmniejszyly si? straty. W istniej?cym SiNWFET zmniejszenie grubo?ci tlenku bramki nie jest dobrym pomyslem, poniewa? powoduje to zmniejszenie stosunku pr?du wl?czenia do pr?du wyl?czenia, chocia? S/S pozostaje w wi?kszo?ci niezmienione. W normalnym FET bez przekladki ma on wysoki pr?d wyl?czenia i zwi?kszony efekt krótkiego kanalu. W istniej?cym urz?dzeniu pr?d wyl?czenia jest wi?kszy, a wydajno?c równie? zmniejszona. Przegl?d, synteza i przeprowadzenie analizy literatury s? rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przegl?du literatury. Dobrze zorganizowany i sformulowany przegl?d najlepiej poka?e wklad i ramy dobrej metodologii.