O presente trabalho dedicado an lise termodin mica dos processos f sico-qu micos de crescimento das camadas epitaxiais do composto semicondutor Ga2Se3 a partir da fase gasosa no sistema de fluxo Ga - Se - Cl - H e modela o de processos tecnol gicos para previs o de poss veis variantes tecnol gicas e determina o de condi es ptimas para a s ntese deste composto. S o apresentados os resultados das pesquisas de defini o e c lculo dos par metros termodin micos de subst ncias individuais do sistema Ga - Se - Cl - H, para a sua utiliza o na modela o termodin mica dos processos de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 a partir de uma fase gasosa. investigada a liga o entre vari veis termodin micas e par metros tecnol gicos do processo de s ntese Ga2Se3 em reactor de tipo aberto com fontes separadas de g lio e sel nio. O esquema de c lculo dos par metros tecnol gicos do processo de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 no sistema de transporte de g s de fluxo com fontes separadas de g lio e sel nio ilustrado.