Celem niniejszej pracy jest zbadanie możliwości zastosowania w technologii fotowoltaicznej binarnego materialu plprzewodnikowego z krzemem jako najbardziej czulym plprzewodnikiem w technologii ogniw slonecznych. Węglik krzemu jest ważnym i szeroko stosowanym przewodnikiem nie tylko ze względu na swoje wlaściwości fizyczne, ale rwnież ze względu na jego wlaściwości fotowoltaiczne, ktre mogą byc wykorzystane w produkcji ogniw w rozwoju materialw plprzewodnikowych dla technologii fotowoltaicznej. Badania koncentrują się na binarnym komponencie krzemowo-węglowym, począwszy od podstawowej perspektywy strukturalnych i elektronicznych wlaściwości SiC w kodzie Wien2k; symulacja numeryczna z SCAPS-1D dwch form PN i PiN opartych na SiC i 3C-SiC dokladniej przedstawila odpowiedni proces wyboru najbardziej odpowiedniego materialu jako warstwy przezroczystej z tym materialem, umożliwiając w ten sposb lepszą wydajnośc tego ogniwa fotowoltaicznego przekraczającą 20%. Badanie niektrych parametrw odgrywających istotną rolę w poprawie jakości powietrza.