Les technologies de l'information à travers les transitions de phase topotactiques
| AUTHOR | Nallagatla, Venkata Raveendra |
| PUBLISHER | Editions Notre Savoir (04/24/2024) |
| PRODUCT TYPE | Paperback (Paperback) |
Description
Les dispositifs mémoires redox, pilotés par la migration de l'oxygène, sont prometteurs pour le stockage des données à l'avenir. Les structures de brownmillerite, comme SrCoO2.5 et SrFeO2.5, permettent des transitions de phase topotactiques réversibles, optimisant l'oxydoréduction et la commutation résistive dans les dispositifs memristifs. Les défis posés par les films minces de SrCoO2.5 sont relevés avec du SrFeO2.5 atomiquement plat, ce qui permet d'améliorer les performances. La croissance épitaxiale sur du SrTiO3 orienté [111] améliore la migration contrôlée des ions d'oxygène, ce qui permet d'obtenir une grande endurance et une commutation rapide. La spectromicroscopie d'absorption des rayons X révèle le rôle de la transition de phase basée sur l'oxydoréduction, et les dispositifs orientés (111) présentent des transitions localisées. Les dispositifs SrFeO2.5 (111) démontrent une fonctionnalité prometteuse de mémoire synaptique, contribuant à un modèle de réseau neuronal avec une précision d'environ 90 % dans l'identification de numéros écrits à la main.
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Product Format
Product Details
ISBN-13:
9786207383283
ISBN-10:
6207383281
Binding:
Paperback or Softback (Trade Paperback (Us))
Content Language:
French
More Product Details
Page Count:
104
Carton Quantity:
68
Product Dimensions:
6.00 x 0.25 x 9.00 inches
Weight:
0.36 pound(s)
Country of Origin:
US
Subject Information
BISAC Categories
Technology & Engineering | Electronics - General
Descriptions, Reviews, Etc.
publisher marketing
Les dispositifs mémoires redox, pilotés par la migration de l'oxygène, sont prometteurs pour le stockage des données à l'avenir. Les structures de brownmillerite, comme SrCoO2.5 et SrFeO2.5, permettent des transitions de phase topotactiques réversibles, optimisant l'oxydoréduction et la commutation résistive dans les dispositifs memristifs. Les défis posés par les films minces de SrCoO2.5 sont relevés avec du SrFeO2.5 atomiquement plat, ce qui permet d'améliorer les performances. La croissance épitaxiale sur du SrTiO3 orienté [111] améliore la migration contrôlée des ions d'oxygène, ce qui permet d'obtenir une grande endurance et une commutation rapide. La spectromicroscopie d'absorption des rayons X révèle le rôle de la transition de phase basée sur l'oxydoréduction, et les dispositifs orientés (111) présentent des transitions localisées. Les dispositifs SrFeO2.5 (111) démontrent une fonctionnalité prometteuse de mémoire synaptique, contribuant à un modèle de réseau neuronal avec une précision d'environ 90 % dans l'identification de numéros écrits à la main.
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