Niniejsza ksi??ka przedstawia dogl?bne badania eksperymentalne zachowania tranzystorów SiC JFET w wymagaj?cych zastosowaniach lotniczych. Opisano kompletn? metodologi?, w tym projekt zautomatyzowanego stanowiska testowego z wykorzystaniem LabView, testy wytrzymalo?ciowe w celu okre?lenia energii krytycznej oraz testy przyspieszonego starzenia w celu monitorowania zmian parametrów elektrycznych. Uzyskane wyniki podkre?laj? wiarygodne wska?niki degradacji i otwieraj? interesuj?ce perspektywy projektowania bardziej odpornych systemów elektronicznych w ekstremalnych ?rodowiskach.