Este livro apresenta um estudo experimental aprofundado do comportamento dos transístores SiC JFET para aplicações aeroespaciais exigentes. É descrita uma metodologia completa, incluindo a conceção de um banco de ensaios automatizado utilizando LabView, testes de robustez para determinar a energia crítica e testes de envelhecimento acelerado para monitorizar as alterações nos parâmetros eléctricos. Os resultados obtidos evidenciam indicadores de degradação fiáveis e abrem perspectivas interessantes para a conceção de sistemas electrónicos mais resistentes em ambientes extremos.