Cette travail propose une nouvelle m thodologie pour l' tude de la fiabilit des TBHs en technologie SiGe. L'originalit de cette tude vient de l'utilisation d'une contrainte lectromagn tique efficace et cibl e l'aide du banc champ proche. Les caract risations statiques ont montr la pr sence des courants de fuite l'interface Si/SiO2.Ceci est attribu un ph nom ne de pi geage induit par des porteurs chauds. Ce ph nom ne a t abord par la mod lisation physique en tudiant l'influence des pi ges d'interfaces sur la d rive des performances. Afin de visualiser les d faillances qui peuvent tre d tect es par microscopie, des observations en haute r solution MET et des analyses EDS ont t pr sent es. Ces analyses microscopiques ont mis en vidence les d gradations des couches de titane. Ces d gradations sont attribu es un ph nom ne de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due la forte densit de courant induite par vieillissement. Ces r actions Au-Ti provoquent une augmentation de la r sistivit des couches conductrices et expliquent une partie de la d gradation significative des performances dynamiques du TBH.