En se basant sur le mod le des bandes d' nergie nous avons propos un mod le labor du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales r elles du champ lectrique transversal et du profile du dopage dans la r gion de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande bande dans le transistor est attribu non seulement l'existence d'un champ lectrique transversal mais aussi au champ lectrique lat ral. Par cons quent, le courant de fuite d l'effet tunnel bande bande n'est plus constant pour la m me valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille diff rentes et il d pend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille s par ment. En mod lisant la densit des d fauts localis s dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les r sultats de simulation r v lent que le courant de fuite d pend des deux types des d fauts (accepteurs et donneurs). Une m thode num rique a t propos e pour le calcul du taux tunnel bande bande assist par les tats d'interface afin de clarifier l'impact des tats d'interface sur le courant de fuite.