La mise en place des premières constellations de satellites pour les télécommunications et la tendance générale à utiliser des composants commerciaux pose le problème de la vulnérabilité et de la durée de vie des composants de type MOS à l''effet de dose. Lors de ces missions, l''utilisation généralisée de composants commerciaux passe par une sélection qui doit faire l''objet d''une attention toute particulière. Le travail présenté ici concerne la mise en place d''une méthodologie de tri de ces composants qui s''appuie sur la relaxation thermique des charges piégées dans le volume de l''oxyde. Après avoir présenté les phénomènes physiques à l''origine des dégradations induites par les rayonnements ionisants dans les isolants, nous donnons les bases d''une méthode de qualification des composants qui prend en compte les spécificités de l''oxyde et les paramètres de la mission. Le domaine de validité de la méthode et les précautions à prendre lors de l''interprétation des résultats sont ensuite analysés. Dans la dernière partie, nous avons abordé l''influence du champ électrique sur les processus qui régissent le comportement des composants irradiés.