Ce travail met en vidence l'importance du silicium poreux en pr sence de t trachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuret s lors de la croissance et l'obtention de couches minces de tr s grande qualit . La premi re partie est consacr e une g n ralit sur les propri t s des couches minces de Si. Dans la deuxi me partie nous pr sentons les propri t s du silicium poreux (SP) et son effet de gettering. L'effet de gettering par SP en pr sence du SiCl4 a t valu par l'augmentation prononc e de la mobilit des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans la troisi me partie est pr sent le montage utilis , ainsi que les conditions d' laboration des couches de silicium. La derni re partie donne les r sultats des caract risations structurales et lectriques des couches minces labor es sur des substrats de SP. Les r sultats montrent que la mobilit des porteurs varie de 107 186 cm V-1s-1 et est plus lev e que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD.