La diminution soutenue des dimensions du transistor acc l re la rencontre de la micro lectronique avec la m canique quantique et d'autres lois r gissent d sormais le transport des lectrons. La simulation des composants micro lectroniques a donc besoin de nouvelles th ories et techniques de mod lisation am liorant la compr hension physique des dispositifs de taille nanom trique. Ce livre pr sente le principe des techniques volutionnaires (GA, PSO, ...) et leurs applications dans le domaine de la mod lisation des composants nano lectroniques. Le manuscrit donne les bases n cessaires la compr hension des GAs et l'optimisation par PSO. Il pr sente l' tat de l'art des travaux r cemment publi s et les plus significatifs dans le domaine de la mod lisation compacte du transistor double-grilles et leurs limites de validit , et expose ensuite l'approche de la mod lisation num rique du DG MOSFET aux dimensions ultimes bas e sur le formalisme des fonctions de Green hors- quilibre (NEGF). Finalement, des nouveaux mod les analytiques optimis s qui permettent d' tudier le comportement du transistor DG MOSFET nanom trique sont d velopp s en utilisant les techniques volutionnaires.